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马MOSFET二极管,马MOSFET二极管,马MOSFET二极管,马MOSFET二极管 |
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MOSFET（包括SiC-MOSFET）在漏极和源极之间具有一个体二极管。体二极管由源极和漏极之间的pn结构组成，也被称为“寄生二极管”或“内部二极管”。对于MOSFET而言，体二极管的性能是其中一个重要参数，在实际应用中起着至关重要的作用。
MOSFET中用内部二极管，保护器件免受因连接的电感性负载,产生的反向EMF尖峰的影响。当电感负载与MOSFET漏极接通时,电能立即存储在负载内部，并且在下一个瞬间随着关闭,该存储的EMF从MOSFET源极到漏极,从而导致MOSFET性损坏。在器件的漏源极间存在一个内部二极管，通过允许反电动势尖峰穿过二极管来阻止MOSFET被损坏，保护MOSFET。
功率MOS场效应晶体管的种类：按导电沟道可分为P沟道和N沟道。按栅极电压幅值可分为；耗尽型；当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道，增强型；对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道，功率MOSFET主要是N沟道增强型。
MOSFET结构中所附带的本征二极管具有一定的雪崩能力。通常用单次雪崩能力和重复雪崩能力来表达。当反向di/dt很大时，二极管会承受一个速度非常快的脉冲尖刺，它有可能进入雪崩区，一旦其雪崩能力就有可能将器件损坏。作为任一种PN结二极管来说，仔细研究其动态特性是相当复杂的。它们和我们一般理解PN结正向时导通反向时阻断的简单概念很不相同。当电流迅速下降时，二极管有一阶段失去反向阻断能力，即所谓反向恢复时间。PN结要求迅速导通时，也会有一段时间并不显示很低的电阻。在功率MOSFET中一旦二极管有正向注入，所注入的少数载流子也会增加作为多子器件的MOSFET的复杂性。
FET用作具有两个触点的导电半导体通道-“源极”和漏极。 GATE结可以被理解为作为MOS结构的2端子电路，该MOS结构用作整流反向偏置模式。 通常，在经典工作情况下，GATE阻抗较高。根据这些标准的FET通常是MOSFET，JFET，金属半导体FET（MESFET）和异质结构FET。 在这些FET中，MOSFET是重要的晶体管之一，通常用于各种应用。
作为多数载流子器件，MOSFET在其源极和漏极之间承载电流。 该晶体管通过施加到相应 MOS 栅极的常规电压进行调节。 在 n-MOSFET中，电子充当多数载流子，而在 p-MOSFET中，空穴充当多数载流子。
| 主营行业：齐纳二极管 |
| 公司主营：高压触发二极管,合金软桥,Low 肖特基二极管,可控硅 |
| 主营地区：中国 |
| 企业类型：有限责任公司 |
| 注册资金：人民币1000万 |
| 公司成立时间：2007-12-13 |
| 员工人数：51 - 100 人 |
| 研发部门人数：11 - 50 人 |
| 经营模式：生产型 |
| 最近年检时间：2024年 |
| 经营范围：电力电子元器件的技术研发、设计、生产;碳化硅芯片及电子产品的技术咨询服务及技术转让;销售:各高科技新型电子元器件、集成电器、家用电器、仪器仪表、电容器、电阻器、高压电源器、变压器、新能源汽车充电桩、机电自动化设备、自动化设备标准件、汽车电子配件、五金气动配件、建筑机械及配件、通讯设备及配件、环保设备及产品、过滤设备及材料、绝缘材料、防静电产品、塑料制品、橡胶制品;智能家居室内外装饰工程设计、承接照明安装工程、室内水电安装服务;货物及技术进出口。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动) |
| 是否提供OEM：是 |
| 公司邮编：523000 |
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